تاثیر چرخش درونی بر رسانش نانوپلیمرهای هادی دارای حلقه ی بنزن
پایان نامه
- دانشگاه آزاد اسلامی - دانشگاه آزاد اسلامی واحد مرودشت - دانشکده علوم پایه
- نویسنده آمنه عسکری
- استاد راهنما محمد اعظمی نیما کراچی
- تعداد صفحات: ۱۵ صفحه ی اول
- سال انتشار 1393
چکیده
هدف از انجام این تحقیق مطالعه ی کنترل رسانش در ساختارهای نیمه رسانا می باشد. رسانش در ساختارهای نیمه رسانا را می توان با استفاده از نیمه رساناها و ترانزیستورها کنترل کرد. این پژوهش در سه بخش مورد بررسی قرار می گیرد که در این سه بخش تاثیر چرخش درونی بر رسانش نانوپلیمرهای هادی دارای حلق? بنزن اعمال می شود .در بخش اول به محاسب? گاف انرژی می پردازیم .در بخش دوم به محاسب? اختلاف بار الکتریکی اتم های موجود در نانو پلیمری هادی دارای حلق? بنزن می پردازیم ودر بخش سوم محاسب? اختلاف مقادیر لاپلاسین و چگالی بررسی خواهند شد .نتیجه گیریازبخش اول: چرخش درونی در نانو پلیمرهای هادی دارای حلقه بترن باعث افزایش hlg می-شود. پس می¬توان با میزان چرخش ،رسانش را کنترل کرد.اثر چرخش درونی بر نانو پلیمرهای هادی دارای حلقه بترن باعث کاهش انرژی هومو می¬شود. اثر چرخش درونی برنانو پلیمرهای هادی دارای حلقه بترن باعث افزایش انرژی لومو می¬شود. بزرگترین مقدار?hlgشامل کوچکترین مولکول میشودولی کوچکترین مقدارآن شامل بزرگترین مولکول نیست.مقادیر ?hlgهمواره مثبت اند. نتیجه گیری ازبخش دوم:به طور کلی می¬توان به این نتیجه رسید که به هر میزانی که اختلاف بارالکتریکی در اتم های کربن بیشتر باشد تاثیر چرخش در مولکول مورد نظر بیشتر بوده است و به هر میزانی که اختلاف بارالکتریکی در اتم های کربن کمتر باشد تاثیر چرخش در مولکول کمتر است. تعداد مقادیر منفی اختلاف بارالکتریکی مولکول ها بیشتر از مقادیر مثبت اختلاف بارالکتریکی است و دلیل برآن دارد که مقدار بارالکتریکی اتم بعد از چرخش کمتر از مقدار بارالکتریکی اتم قبل از چرخش می¬باشد. نتیجه گیری ازبخش سوم: به طور کلی می¬توان به این نتیجه رسید که در تمام مولکول ها که مقدار اختلاف لاپلاسین آن ها در اتمی که با حلقه بترن تشکیل پیوند داده منفی است و تمام مولکول ها در اثر چرخش ، درپیوندی که اتم با حلقه بترن ایجاد کرده دارای افزایش خصلت کووالانسی شده اند. نتیجه گیری کل: می توانیم نانورساناهایی باقابلیت رسانش قابل کنترل تهیه کنیم. با استفاده ازچرخش درونی میتوان خواص الکترونی راتغییرداد.
منابع مشابه
وابستگی رسانش الکترونی یک نانو حلقه کربنی به محل اتصال هادی ها و میدان مغناطیسی اعمالی
در این مقاله در رهیافت تنگابست و به روش تابع گرین رسانش الکترونی یک نانو حلقه کربنی را برای موقعیت های مختلف اتصال هادی ها به آن در حضور و غیاب میدان مغناطیسی بررسی کردیم. نتایج نشان می دهد که با نزدیک شدن هادی ها در نانو حلقه، رسانش تونل زنی در ناحیه گاف بهتر می شود. همچنین اعمال میدان مغناطیسی تأثیر زیادی بر طیف رسانش این نانو حلقه دارد، به گونه ای که وجود میدان باعث می شود مواردی که طیف رسان...
متن کاملاثر چرخش گشتاور مغناطیسی نقص ها روی رسانش وابسته به اسپین یک نانو سیم فرومغناطیس
In this paper, we calculate the spin-dependent conductance of ferromagnetic quantum wire in the presence of one or two defects by using Green's function method at the tight-binding approach. We study the effect of rotation of defect magnetic moment on the system conductance. The results show that in the magnetic wire, independent of existence or absence of defect, the allowed energy region shi...
متن کاملتأثیر برنامه ی آموزش ژیمناستیک بر چرخش ذهنی
هدف از مطالعهی حاضر بررسی تأثیر برنامهی آموزش ژیمناستیک به عنوان یک فعالیتحرکتی بر چرخشذهنی به عنوان یک فاکتورشناختی است. تحقیق حاضر با درنظرگرفتن گروهآزمایش با تمرین آموزش ژیمناستیک، از بین دانشجویان رشتهی تربیتبدنی، و گروهکنترل بدون تمرین و آموزش، از بین دانشجویان دیگررشتههای علومانسانی، هرگروه 40 نفر (20نفر پسر و 20 نفر دختر) انجام شد. ابتدا از هردوگروه آزمون چرخشذهنی پترز ...
متن کاملطراحی حامل دارویی هوشمند بر پایه کربوکسی متیلسلولز-آکریلآمید بهعنوان سامانه حلقه-بسته رسانش دارو و بررسی سینتیکی رهایش انسولین
واژه دیابت ملیتوس (DM) دربرگیرنده گروهی از نقصهای متابولیک است که با زیاد شدن طولانی قند خون مشخص میشود و ناشی از نارسایی در ترشح یا فعالیت انسولین است. در این پژوهش، حامل دارویی هیدروژلی هوشمند بر پایه کربوکسی متیل سلولز- پلیآکریلآمید (CMC-g-pAAm) طراحی شد که با رسانش حلقه-بسته قادر به رهایش انسولین است. آنزیم گلوکز اکسیداز (GOX) برای کنترل رهایش انسولین و پاسخگویی به غلظتهای متفاوت قند د...
متن کاملفهمِ ساز و کار تداخلِ توابعِ موج در مولکولِ بنزن به کمکِ محاسبۀ عددِ اِشغالِ الکترونی
د در این مقاله، در رهیافتِ تنگبست و به روشِ تابعِ گرین به محاسبۀ رسانش و عددِ اِشغالِ الکترونی یک مولکول بنزن پرداخته ایم، که بهصورتِ اتّصالهای اُرتو، مِتا و پارا به دو هادی فلزّی ساده متّصل شده است. اثرِ عواملی همچون محل اتّصالِ هادیها، قدرتِ دوپارش و اِعمالِ ولتاژ، را روی مقدارِعددِ اِشغالِ الکترونی در مسیرهای ممکنِ عبورِ الکترون بررسی کردهایم. نتایجِ محاسبات حسّاسّیتِ نسبتاً زیادِ مقدارِ عددِ اِشغال را به این عوامل نش...
متن کاملاثر چرخش گشتاور مغناطیسی نقص ها روی رسانش وابسته به اسپین یک نانو سیم فرومغناطیس
در این مقاله، رسانش وابسته به اسپین یک سیم کوانتومی فرومغناطیس را در حضور یک یا دو نقص با استفاده از روش تابع گرین در رهیافت بستگی قوی محاسبه نموده و تأثیر چرخش گشتاور مغناطیسی نقص (ها) را بر روی رسانش سامانه بررسی می کنیم. نتایج نشان می دهد که در سیم مغناطیسی، مستقل از وجود یا عدم وجود نقص، بازه مجاز انرژی نسبت به حالت غیرمغناطیسی به اندازه پارامتر وارونگی اسپینی جا به جا می شود. با ایجاد نقص ...
متن کاملمنابع من
با ذخیره ی این منبع در منابع من، دسترسی به آن را برای استفاده های بعدی آسان تر کنید
ذخیره در منابع من قبلا به منابع من ذحیره شده{@ msg_add @}
نوع سند: پایان نامه
دانشگاه آزاد اسلامی - دانشگاه آزاد اسلامی واحد مرودشت - دانشکده علوم پایه
میزبانی شده توسط پلتفرم ابری doprax.com
copyright © 2015-2023